[10p-N405-1~11] CS.7 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス、4.2 Photonics Devices, Photonic Integrated Circuit and Silicon Photonicsのコードシェアセッション

△ [10p-N405-10] ハイブリッド集積に向けたDirect Transfer Bondingによる接合位置精度の検討

〇小野寺 広夢¹、菊池 健彦¹、大礒 義孝¹、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2 (1.東工大工、2.科学技術創成研究院)

キーワード：光集積回路、ハイブリッド集積、接合

大規模光集積回路のハイブリッド集積の実現に向け、ウェハサイズの違いを解決するための重要な技術であるChip-on-waferがある。その一つであるDirect Transfer Bonding技術を用いてSiウェハ上へ接合したInP小片の接合位置精度について検討した。