[10p-N406-1~18] 9.4 Thermoelectric conversion

[10p-N406-7] Manipulation of thermoelectric properties in group IV thermoelectric materials using EDLT

〇(M2)Toranosuke Katayama¹, Takafumi Ishibe¹, Yoshiaki Nakamura¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:thermoelectric generation

本研究ではSi基板上にEDLTを形成した。ゲート電圧を印加していくと、Sが減少、シート電気伝導率は増大した。この結果から、キャリアがチャネル層に蓄積されていると予想される。また、チャネル層の膜厚をシミュレーションにより求めたところ、数nm以下であることがわかった。この膜厚を用いて電気伝導率、キャリア密度を見積もることに成功した。これらの結果は、ゲート電圧による熱電特性操作に成功したことを示唆するものである。