[10p-S202-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-S202-12] エピ表面側に起点を持つ1SSF先尖部分の構造解析

〇西尾 譲司¹、太田 千春¹、飯島 良介¹ (1.東芝研開センター)

キーワード：炭化珪素、積層欠陥、部分転位

4H-SiCエピ層中の単一ショックレー型積層欠陥(1SSF)の形状の違いによる成因分析を進めている。直角三角形状のものは基板／エピ界面付近を起点とするものと表面付近を起点とするものがあり、EL観察によって捉えた後者に対する解析を進めてきた。今回この1SSFが拡張停止した基板／エピ界面付近の部分転位の構造解析を行った。