[10p-S202-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-S202-14] 低濃度 ClF3 ガスによる SiC 膜脱離を活用した SiC エピ装置クリーニング

間明田 巧¹、〇滝澤 唯夏¹、羽深 等¹、石黒 暁夫²、石井 成明²、醍醐 佳明²、伊藤 英樹²、水島 一郎²、高橋 至直³ (1.横浜国立大学、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)

キーワード：炭化ケイ素CVD、リアクタークリーニング

炭化珪素(SiC)エピタキシャル成長を円滑に進めるために、成長装置のクリーニング技術が必要である。前報では、高純度熱分解炭素(PPyC)被膜に堆積した粒子状 SiC 膜が ClF3 ガス(100％, 1 気圧)により素早く脱離する現象を確認し、これを活用するクリーニング法を検討した。本報では、水素ガス中における ClF3 ガスの燃焼下限が１％程度であることを考慮し、１％に希釈した三フッ化塩素で粒子状 SiC 膜が脱離することを用いてクリーニングする方法を検討した。