[10p-S202-1~14] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[10p-S202-2] 6 inch SiC bulk crystal grown by solution method aided by AI technology

〇Toru Ujihara^1,2,3, Can Zhu¹, Yosuke Tsunooka¹, Koki Suziki¹, Wancheng Yu¹, Xinbo Liu², Yifan Dang², Tomoaki Furusho¹, Kentaro Kutsukake^1,3, Shunta Harada^1,2, Miho Tagawa^1,2, Mai Abe⁴, Kenya Tanaka⁴ (1.IMaSS, Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ., 3.RIKEN, 4.Hitachi Metals)

Keywords:SiC, Crystal Growth

我々は溶液成長法による高品質SiC結晶成長技術の開発を長年行ってきた。その結果、転位密度が極めて低い高品質SiC結晶を実現してきた¹。さらに、最近では6インチの大口径結晶成長にも成功している。本講演では、6インチの結晶成長の実現に至る経緯について報告する。