[10p-S202-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-S202-2] ＡI技術を活用した6インチSiCバルク結晶の溶液成長

〇宇治原 徹^1,2,3、朱 燦¹、角岡 洋介¹、鈴木 皓己¹、郁 万成¹、劉 欣博²、黨 一帆²、古庄 智明¹、沓掛 健太朗^1,3、原田 俊太^1,2、田川 美穂^1,2、阿部 舞⁴、田中 謙弥⁴ (1.名大未来研、2.名大工、3.理研AIP、4.日立金属)

キーワード：SiC、結晶成長

我々は溶液成長法による高品質SiC結晶成長技術の開発を長年行ってきた。その結果、転位密度が極めて低い高品質SiC結晶を実現してきた¹。さらに、最近では6インチの大口径結晶成長にも成功している。本講演では、6インチの結晶成長の実現に至る経緯について報告する。