[10p-S202-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [10p-S202-3] 4H-SiCへの高濃度B,Nコドーピングに向けた坩堝構造の改善

〇山根 耀真¹、Weifang Lu¹、柳井 光佑¹、小寺 慶太¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工)

キーワード：半導体、SiC、蛍光SiC