[10p-S202-1~14] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [10p-S202-4] Passivation effect on 4H-SiC porous crystals foemed by voltage-controlled anodization

〇Keita Kodera¹, Kosuke Yanai¹, Yoma Yamane¹, Lu Weifang¹, Ou Yiyu², Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satishi Kamiyama¹ (1.Meijo Univ, 2.Technical University Denmark)

Keywords:SiC, porous

基板表面に微細な孔を有する蛍光SiCはポーラス蛍光SiCと呼ばれ、ポーラス化によりDAP発光の高強度化と短波長化が可能である。ポーラス作製時に基板表面が酸化され発光強度が低下してしまうため、パッシベーション処理により発光強度の回復、およびSiC表面を不活性化させる。本研究では、ポーラス層のエッチング条件を変化させ、そのパッシベーション効果と構造の依存性を調査した。