[10p-S202-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [10p-S202-4] 電圧制御陽極酸化法により作製した4H-SiCポーラス結晶へのパッシベーション効果

〇小寺 慶太¹、柳井 光祐¹、山根 耀真¹、Weifang Lu¹、Yiyu ou²、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹ (1.名城大理工、2.Technical University Denmark)

キーワード：SiC、ポーラス

基板表面に微細な孔を有する蛍光SiCはポーラス蛍光SiCと呼ばれ、ポーラス化によりDAP発光の高強度化と短波長化が可能である。ポーラス作製時に基板表面が酸化され発光強度が低下してしまうため、パッシベーション処理により発光強度の回復、およびSiC表面を不活性化させる。本研究では、ポーラス層のエッチング条件を変化させ、そのパッシベーション効果と構造の依存性を調査した。