[10p-S202-1~14] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[10p-S202-8] Revisit of Auger recombination coefficient in 4H-SiC using a high-quality crystal

〇Kazuhiro Tanaka¹, Keisuke Nagaya¹, Masashi Kato¹ (1.NITech)

Keywords:SiC device, SiC process technology, Compound semiconductor

SiC バイポーラデバイスは高い耐圧と低いオン抵抗を実現できるとして期待されているが、オン抵抗はキャリア寿命に依存するため、炭素空孔の低減による伸長が行われる。キャリア寿命の値を制限するのは最終的に輻射およびオージェ再結合係数であるが、従来の報告ではキャリア寿命の伸長がなされていない結晶を用いたものであった。今回、本処理を行った高品質結晶を用いてこれらの係数の値を再検討しオージェ再結合係数は従来報告値より小さい事がわかった。