The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[10p-S202-1~14] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

Fri. Sep 10, 2021 1:00 PM - 5:00 PM S202 (Oral)

Kazuma Eto(AIST)

3:00 PM - 3:15 PM

[10p-S202-8] Revisit of Auger recombination coefficient in 4H-SiC using a high-quality crystal

Kazuhiro Tanaka1, Keisuke Nagaya1, Masashi Kato1 (1.NITech)

Keywords:SiC device, SiC process technology, Compound semiconductor

SiC バイポーラデバイスは高い耐圧と低いオン抵抗を実現できるとして期待されているが、オン抵抗はキャリア寿命に依存するため、炭素空孔の低減による伸長が行われる。キャリア寿命の値を制限するのは最終的に輻射およびオージェ再結合係数であるが、従来の報告ではキャリア寿命の伸長がなされていない結晶を用いたものであった。今回、本処理を行った高品質結晶を用いてこれらの係数の値を再検討しオージェ再結合係数は従来報告値より小さい事がわかった。