2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[10p-S202-1~14] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2021年9月10日(金) 13:00 〜 17:00 S202 (口頭)

江藤 数馬(産総研)

15:00 〜 15:15

[10p-S202-8] 高品質 4H-SiC 結晶を用いたオージェ再結合係数の再検討

田中 和裕1、長屋 圭祐1、加藤 正史1 (1.名工大)

キーワード:SiCデバイス、SiCプロセス技術、化合物半導体

SiC バイポーラデバイスは高い耐圧と低いオン抵抗を実現できるとして期待されているが、オン抵抗はキャリア寿命に依存するため、炭素空孔の低減による伸長が行われる。キャリア寿命の値を制限するのは最終的に輻射およびオージェ再結合係数であるが、従来の報告ではキャリア寿命の伸長がなされていない結晶を用いたものであった。今回、本処理を行った高品質結晶を用いてこれらの係数の値を再検討しオージェ再結合係数は従来報告値より小さい事がわかった。