[10p-S203-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-S203-20] Al系合金基板上における透明導電体NbドープTiO₂薄膜の低温結晶化

〇(M2)増山 知輝¹、清水 亮太¹、一杉 太郎¹ (1.東工大物質理工)

キーワード：透明導電性酸化物、薄膜、二酸化チタン

透明導電性酸化物であるNbドープTiO₂(TNO)薄膜は耐食性が高く、原料が安価であることからITOなどの代替材料や低コストな耐食性保護膜として活躍が期待される。しかし、実用化に向けた課題の1つとして結晶化温度の高さ(ガラス基板上で∼340℃)がある。そこで本研究では、TNO薄膜をAl系合金の保護膜として活用することを目指し低温結晶化を試みたところ、250℃での低温結晶化に成功したので報告する。