[10p-S203-1~21] 6.3 Oxide electronics

[10p-S203-21] Fabrication of gallium oxide thin film by spin-coating method and evaluation of its physical properties

〇(M2)Akihiro Momota¹, Miharu Kawano¹, Takuya Shibahara¹, Naoki Ohtani¹ (1.Doshisha Univ.)

Keywords:semiconductor, gallium oxide

近年、半導体であるシリコンは現状以上の効率化が難しいとされ、炭化ケイ素や窒化ガリウムといったワイドバンドギャップ半導体の実用化が始まっている。その中でも酸化ガリウムはバンドギャップが4.8eV-5.3eVと非常に広く透明導電膜やパワーデバイスへの応用が期待されている。当研究室では作製コスト削減のために塗布法により薄膜作製条件の検討を行う。そして本研究では焼成条件と成膜条件を変化させ薄膜の平坦性の評価をした。