2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-S203-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年9月10日(金) 13:00 〜 18:30 S203 (口頭)

松田 晃史(東工大)、新宮原 正三(関西大)

13:30 〜 13:45

[10p-S203-3] 第一原理計算手法に基づく外部電場下におけるルチル型TiO2中の酸素空孔挙動の解析

〇(M1)二宮 雅輝1、藤平 哲也1、林 侑介1、酒井 朗1 (1.阪大基礎工)

キーワード:第一原理計算、酸化チタン、メモリスタ