The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.8 Plasma Electronics Division Award Speech

[10p-S301-1~2] 8.8 Plasma Electronics Division Award Speech

Fri. Sep 10, 2021 1:00 PM - 2:00 PM S301 (Oral)

Yuichi Setsuhara(Osaka Univ.)

1:00 PM - 1:30 PM

[10p-S301-1] [Plasma Electronics Award Speech] Low-temperature synthesis of high-quality graphene using forced-convection of plasma-excited radicals

Jaeho Kim1, Hirotomo Itagaki1, Hajime Sakakita1 (1.AIST)

Keywords:graphene, plasma CVD, carbon nanomaterial

本発表では、第19回プラズマエレクトロニクス賞の受賞対象となった論文(Nano Letters 19 (2019) 739-746)について紹介する。グラフェンは、エレクトロニクス産業の新素材として大注目を浴びている。しかし、実用化に向けった高品質グラフェン膜の低温合成法が実現できていない状況であった。本研究では、ラジカル強制対流式プラズマCVD手法を独自に開発することにより、基板を加熱せずに400℃以下て高品質な単層グラフェン膜合成に成功した。