[11a-N101-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11a-N101-2] [Highlight]Marked reduction of electron trap concentrations in HVPE-grown GaN layers

〇Takeshi Kimura¹, Taiichiro Konno¹, Shota Kaneki¹, Fujikura Hajime¹ (1.SCIOCS Co. Ltd.)

Keywords:GaN, electron trap

これまで、石英フリー化したHVPEを用いることで、MOCVDよりも遥かに残留不純物濃度が低いGaN層の高速成長が可能であることを示してきた。しかし、依然としてMOCVD成長と同程度の10¹³ ～ 10¹⁴/cm³台の濃度の電子トラップが存在し、その低減が課題であった。今回、成長条件およびHVPE装置構成の変更により、これらの密度を大幅に低減したので報告する。