[11a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-N101-2] 【注目講演】HVPE成長GaN層中の電子トラップ濃度の大幅低減

〇木村 健司¹、今野 泰一郎¹、金木 奨太¹、藤倉 序章¹ (1.（株）サイオクス)

キーワード：GaN、電子トラップ

これまで、石英フリー化したHVPEを用いることで、MOCVDよりも遥かに残留不純物濃度が低いGaN層の高速成長が可能であることを示してきた。しかし、依然としてMOCVD成長と同程度の10¹³ ～ 10¹⁴/cm³台の濃度の電子トラップが存在し、その低減が課題であった。今回、成長条件およびHVPE装置構成の変更により、これらの密度を大幅に低減したので報告する。