[11a-N101-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11a-N101-5] [Young Scientist Presentation Award Speech] Electrical properties and structural defects of p-type GaN layers with various Mg concentration grown by HVPE

〇Kazuki Ohnishi¹, Yuki Amano¹, Naoki Fujimoto², Shugo Nitta², Hirotaka Watanabe², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Dept. of Elec., Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.ARC, Nagoya Univ., 4.VBL, Nagoya Univ.)

Keywords:HVPE, p-type GaN

ハライド気相成長（HVPE）法を用いて成長させたMg濃度10¹⁷～10²⁰ cm^-3を有するp型GaNの電気的特性をHall効果測定を用いて評価した。また, 高Mg濃度のp型GaN中に生じる極性反転領域の評価も行った。その結果, HVPEさせたp型GaNの電気的特性および形成した極性反転領域は従来のMOVPE成長させたp型GaNと同様な傾向であった。本発表では, 得られた電気的特性および極性反転領域の詳細を議論する。