[11a-N102-1~8] 3.13 半導体光デバイス

[11a-N102-7] 電流励起型ペロブスカイト半導体レーザーの実現に向けた基礎検討

〇奈須 龍太郎^1,2、松島 敏則²、安達 千波矢^1,2 (1.九大 OPERA、2.九大 WPI-I2-CNER)

キーワード：ペロブスカイト、LED

金属ハライドペロブスカイトはLEDの発光材料として注目されている。本研究では、低いレーザー発振閾値を示すとされるナフチルメチルアミンを用いた擬2次元型ペロブスカイト膜に対する​励起状態の失活や低温における発光特性を検討し、将来的な電流励起型ペロブスカイト半導体レーザーの実現に向けた可能性を示した。