[11a-N102-1~8] 3.13 Semiconductor optical devices

[11a-N102-8] Vacuum Ultraviolet Photoconductive Detector Based on Titanium Dioxide Thin Films

〇Yusuke Horiuchi¹, Tomoki Kato¹, Shingo Ono¹, Marilou Cadatal-Raduban², Kohei Yamanoi³, Jiri Olejnicek⁴, Michal Kohout⁴, Yu Haoze³, Nobuhiko Sarukura³ (1.NITech, 2.Massey Univ, 3.Osaka Univ, 4.ASCR)

Keywords:TiO2, wide bandgap semiconductor, gamma-ray irradiation

酸化チタン薄膜を真空紫外光検出器として用いる際の、γ線照射前後及び回復後での光導電性に関する性能について報告を行う。V-I特性の評価から、γ線照射による光電流値の低下と回復後における元の検出器以上の光導電性を確認した。また、透過率やフォトルミネッセンス測定から、透過端の赤方偏移や、392-528nmの波長域にブロードな吸収バンドを確認し、γ線照射による酸素空孔や3価のチタンイオン形成を裏付けた。