[11a-N102-1~8] 3.13 半導体光デバイス

[11a-N102-8] 酸化チタン薄膜を用いた真空紫外光検出器

〇堀内 勇佑¹、加藤 智規¹、小野 晋吾¹、Marilou Cadatal-Raduban²、山ノ井 航平³、Jiří Olejníček⁴、Michal Kohout⁴、Yu Haoze³、猿倉 信彦³ (1.名工大、2.Massey Univ、3.阪大、4.ASCR)

キーワード：酸化チタン、ワイドバンドギャップ半導体、γ線照射

酸化チタン薄膜を真空紫外光検出器として用いる際の、γ線照射前後及び回復後での光導電性に関する性能について報告を行う。V-I特性の評価から、γ線照射による光電流値の低下と回復後における元の検出器以上の光導電性を確認した。また、透過率やフォトルミネッセンス測定から、透過端の赤方偏移や、392-528nmの波長域にブロードな吸収バンドを確認し、γ線照射による酸素空孔や3価のチタンイオン形成を裏付けた。