[11a-N205-1~11] CS.9 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[11a-N205-6] Suppression of SiO₂ interfacial layer growth for TiN/Hf_xZr_1−xO₂/Si-MFS fabrication

〇(PC)Takashi Onaya^1,2,3, Toshihide Nabatame², Mari Inoue², Tomomi Sawada², Hiroyuki Ota¹, Yukinori Morita¹ (1.AIST, 2.NIMS, 3.JSPS Research Fellow PD)

Keywords:ferroelectric HfxZr1-xO2 thin film, Metal/Ferroelectric/Semiconductor structure, atomic layer deposition

近年、Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)薄膜を用いた強誘電体トランジスタが盛んに研究されている。しかし、金属/強誘電体/半導体 (MFS)構造を形成する際に、HZO膜の成膜及び結晶化アニール工程でHZO/Si界面にSiO₂界面層が形成され、結果として残留分極値の低下や信頼性の劣化に繋がることが報告されている。本研究では、原子層堆積法によるHZO膜の成膜温度及び熱処理温度がSiO₂界面層の形成に及ぼす影響を調べた。