[11a-N305-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[11a-N305-11] Reacive Etching of InGaN with HI Neutral-Beam Etching

〇(M2)Takahiro Sawada¹, Takahiro Ishihara¹, Daisuke Ohori¹, XueLun Wang^3,4, Seiji Samukawa^1,2 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.AIST, 4.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:InGaN, microLED, Neutral Beam

InGaN/GaNマイクロLEDを加工する際、高い内部量子効率とエッチング精度の両立が難しいという問題がある。すでにCl₂中性粒子ビームにより、加工時の表面欠陥生成の抑制により高い内部量子効率を実現した。一方、In塩化物の揮発性が乏しく、InGaNとGaNのエッチング速度差が大きいことから形状異常を引き起こす課題がある。本研究ではHI(ヨウ化水素)ガスを用いた中性粒子ビームを用いて、InGaNとGaNにおける表面反応の基礎的な検討を行ったので報告する。