[11a-N305-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11a-N305-11] HI中性粒子ビームによるInGaN反応性エッチング

〇(M2)澤田 尭廣¹、石原 崇寛¹、大堀 大介¹、王 学論^3,4、寒川 誠二^1,2 (1.東北大流体研、2.東北大 AIMR、3.産総研、4.名大 IMaSS)

キーワード：InGaN、microLED、中性粒子ビーム

InGaN/GaNマイクロLEDを加工する際、高い内部量子効率とエッチング精度の両立が難しいという問題がある。すでにCl₂中性粒子ビームにより、加工時の表面欠陥生成の抑制により高い内部量子効率を実現した。一方、In塩化物の揮発性が乏しく、InGaNとGaNのエッチング速度差が大きいことから形状異常を引き起こす課題がある。本研究ではHI(ヨウ化水素)ガスを用いた中性粒子ビームを用いて、InGaNとGaNにおける表面反応の基礎的な検討を行ったので報告する。