[11a-N305-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11a-N305-3] 陽電子消滅を用いたMgイオン注入により形成したp型GaNのMg活性プロセスと空孔型欠陥の研究

〇上殿 明良¹、田中 亮²、高島 信也²、上野 勝典²、江戸 雅晴²、嶋 紘平³、小島 一信³、秩父 重英³、石橋 章司⁴ (1.筑波大数物、2.富士電機、3.東北大多元研、4.産総研)

キーワード：GaN、イオン注入、欠陥

陽電子消滅は固体の空孔型欠陥や空隙を感度良く検出できる非破壊検査法である．本研究では，陽電子消滅を用いてMg注入GaNの欠陥とMg活性化プロセスを評価した．GaN単結晶基板上にMOVPE成長させたGaN層にMg，N，及びMgとNを共注入した試料を作成した．MgとNを共注入した試料でp型CV応答を確認した．講演では，焼鈍によるMg分布の変化，活性化，及び空孔型欠陥との関係について詳しく報告する．