[11a-N305-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [11a-N305-4] 空孔ガイドMg拡散法によるp型イオン注入GaNの空間分解CL評価

〇嶋 紘平¹、田中 亮²、高島 信也²、上野 勝典²、江戸 雅晴²、小島 一信¹、上殿 明良³、秩父 重英¹ (1.東北大多元研、2.富士電機、3.筑波大数物)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、カソードルミネッセンス

最近、Mg,N逐次イオン注入（I/I）後に常圧アニールを施す空孔ガイドMg拡散法によりp型I/I-GaN:Mgが実現された。前回の講演では、当該試料のフォトルミネッセンス(PL)および時間分解PLを行い表面から80 nm深さ程度の領域における発光特性を報告した。他方、MgはN-I/I誘起空孔欠陥にガイドされて220 nm深さまで拡散しているため、発光特性の深さ依存性を調べる必要がある。今回は空孔ガイドMg拡散試料の劈開断面に対し空間分解カソードルミネッセンスを行った結果を報告する。