[11a-N305-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[11a-N305-6] PL characteristics of electron-irradiated and Mg/N-ion-implanted GaN

〇Maito Shiraishi¹, Taisei Miyazaki¹, Ryusui Wada¹, Kenta Watanabe², Takashi Okawa², Masato Omori¹ (1.Oita Univ., 2.MIRISE Technologies)

Keywords:Gallium nitride, ion implantation, Photoluminescence

次世代パワー半導体である窒化ガリウム（GaN）を用いたパワーデバイスを実現するため，イオン注入法を用いてドーピング領域を選択的に形成する技術が必要不可欠であるが，GaNではイオン注入後の活性化アニールによって様々な種類の欠陥が形成されることが問題である。本研究では，窒素空孔に着目し，GaN結晶へ窒素空孔のみを導入した試料とイオン注入試料について，フォトルミネッセンス（PL）法により評価を行った。