[11a-N305-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[11a-N305-9] Dynamic observation of oxidation on GaN surface by real-time XPS under irradiating oxidation gas

〇Masatomo Sumiya¹, Yasutaka Tsuda², Tetsuya Sakamoto², Masato Sumita³, Liwen Sang¹, Yoshitomo Harada¹, Aki Tominaga², Akitaka Yoshigoe² (1.NIMS, 2.JAEA, 3.KIKEN AIP)

Keywords:Surface oxidation of III-V nitride, dynamic x-ray photoelectron spectroscopy

極性構造を持つGaN表面は面方位によって酸素取込が異なるために、酸化物絶縁層を形成する際にできる界面準位も表面方位に依存すると考えられる。界面準位形成メカニズムの理解に向けて、我々はGaN結晶表面にさまざまな酸化ガスを照射しながら、その場光電子分光法（XPS）でO 1sスペクトルをリアルタイムに観察し、極性を考慮したGaN表面モデルから化学状態の考察を行った。