[11a-N305-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11a-N305-9] 酸化ガス照射下でのXPSによるGaN表面化学状態の動的その場観察

〇角谷 正友¹、津田 泰孝²、坂本 徹哉²、隅田 真人³、Sang Liwen¹、原田 善之¹、冨永 亜希²、吉越 章隆² (1.物材機構、2.原子力機構、3.理研AIP)

キーワード：III-V族窒化物表面酸化、リアルタイムx線光電子分光

極性構造を持つGaN表面は面方位によって酸素取込が異なるために、酸化物絶縁層を形成する際にできる界面準位も表面方位に依存すると考えられる。界面準位形成メカニズムの理解に向けて、我々はGaN結晶表面にさまざまな酸化ガスを照射しながら、その場光電子分光法（XPS）でO 1sスペクトルをリアルタイムに観察し、極性を考慮したGaN表面モデルから化学状態の考察を行った。