2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

7 ビーム応用 » 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[11a-N401-1~5] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

2021年9月11日(土) 09:00 〜 10:15 N401 (口頭)

山本 治朗(日立)、谷口 淳(東理大)

09:15 〜 09:30

[11a-N401-2] Si系材料添加における193nm液浸レジストの表面特性制御

唐 晨1、関口 淳2,3、安田 雅昭3、平井 義彦3 (1.上海新陽半導体、2.リソテックジャパン、3.阪府大院工)

キーワード:ArF、液浸、レジスト

ArF液浸用レジストは、ArFドライレジストを異なり、レジスト表面と露光機のレンズの間に液浸液が存在する。そのため、PAGの液浸液への溶出や、レジスト表面に液浸液が残ってしまい、ディフェクトとなるウォーターマークなどが問題となる。そこで、ArF液浸レジストにF系添加材を加えることで、プリベーク後にレジスト表面にF偏析層を形成して、PAGのリーチングを防ぎ、また、液浸液との接触角を上げて、水追従性の向上が検討されている。しかし、Fは、ドライエッチング耐性が低いという問題があった。そこで、我々は、Fの代わりにSi系添加材を用いると事で、PAGのリーチングの防止、液浸液との接触角を向上させると共に、ドライエッチング耐性も高めた、新たなArF液浸露光用レジストを開発したので、報告する。