[11p-N304-1~13] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[11p-N304-2] Avalanche amplification of mesh-electrode Mg₂Si-PD at low temperature

〇Yudai Ichikawa¹, Misa Yoshida², Daiju Tsuya², Haruhiko Udono¹ (1.Ibaraki Univ., 2.NIMS)

Keywords:semiconductor, Mg2Si, photodiode

我々は安価で大量普及可能なMg₂Si- pn接合フォトダイオード（PD）の開発を進めている。最近メッシュ電極Mg₂Si PDの感度について検討を進めており、前回は、メッシュ状電極Mg₂Si PDに逆バイアスを印加することにより室温でも大幅な受光感度向上ができることを報告した。今回、同メッシュ状電極Mg₂Si PDの低温下における感度の逆バイアス依存性を評価したところ、アバランシェ増幅によると見られる顕著な感度の増幅が低温の逆バイアス下で見られたので報告する。