[11p-N304-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-N304-3] CF₄ガスによるMg₂Si基板の反応性イオンエッチング特性

〇中村 陸斗¹、吉田 美沙²、津谷 大樹²、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大院、2.NIMS)

キーワード：マグネシウムシリサイド、フォトダイオード、反応性イオンエッチング

我々は安価に大量生産可能なMg₂Si-pn接合フォトダイオード(PD)の開発を進めている。2次元アレイ構造を持つPDを作製するために反応性イオンエッチング(RIE)を用いた微細加工が必要不可欠であり、これまでにSF₆とCF₄を用いたRIEが可能であることを報告した。今回、CF₄でのRIEにおけるエッチング速度のRFパワー依存性とエッチング後の表面状態について評価したので報告する。