[11p-N305-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [11p-N305-10] Modeling of SiC JFET for High Temperature IC Design by Complementary JFETs

〇Noriyuki Maeda¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Silicon carbide, Junction Field-Effect Transistor, Device model

SiC JFETは高温動作ICへの応用が期待されており、我々はCMOS回路のp-/n-MOSFETをp-/n-JFETに置き換えた相補型JFET回路を提案している。実際の回路の作製・設計には、SiC JFETの温度特性を再現するデバイスモデルを用いた回路シミュレーションが必須である。本研究では、本研究室で作製されたSiC JFETの温度特性を再現するデバイスモデルを構築し、その妥当性を評価した。