[11p-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [11p-N305-10] 相補型JFETによる高温動作IC設計に向けたSiC JFETのデバイスモデル構築

〇前田 憲幸¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：炭化ケイ素、接合型電界効果トランジスタ、デバイスモデル

SiC JFETは高温動作ICへの応用が期待されており、我々はCMOS回路のp-/n-MOSFETをp-/n-JFETに置き換えた相補型JFET回路を提案している。実際の回路の作製・設計には、SiC JFETの温度特性を再現するデバイスモデルを用いた回路シミュレーションが必須である。本研究では、本研究室で作製されたSiC JFETの温度特性を再現するデバイスモデルを構築し、その妥当性を評価した。