2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.7 レーザープロセシング

[11p-N321-1~8] 3.7 レーザープロセシング

2021年9月11日(土) 13:30 〜 15:45 N321 (口頭)

中村 大輔(九大)

15:00 〜 15:15

[11p-N321-6] 不純物をドープした4H-SiC基板からレーザーアブレーションにより作製したナノ微粒子の光学的特性の評価

池田 光希1、石原 淳1、宮島 顕祐1 (1.東理大院)

キーワード:アブレーション、レーザー加工、PL

本研究では、不純物をドープした4H-SiC基板に液中レーザーアブレーションを用いてナノ微粒子を作製した。結晶が再構成されるとすると、たとえターゲット基板に不純物が多くてもレーザーアブレーションにより作製したナノ微粒子に影響はしないと予想される。