15:00 〜 15:15
△ [11p-N321-6] 不純物をドープした4H-SiC基板からレーザーアブレーションにより作製したナノ微粒子の光学的特性の評価
キーワード:アブレーション、レーザー加工、PL
本研究では、不純物をドープした4H-SiC基板に液中レーザーアブレーションを用いてナノ微粒子を作製した。結晶が再構成されるとすると、たとえターゲット基板に不純物が多くてもレーザーアブレーションにより作製したナノ微粒子に影響はしないと予想される。
一般セッション(口頭講演)
3 光・フォトニクス » 3.7 レーザープロセシング
2021年9月11日(土) 13:30 〜 15:45 N321 (口頭)
中村 大輔(九大)
15:00 〜 15:15
キーワード:アブレーション、レーザー加工、PL