[11p-S201-1~8] 薄膜・表面物理研究のトレンドと今後の展望 ～薄膜・表面物理分科会50周年記念シンポジウム～

[11p-S201-2] 半導体デバイスを支える絶縁膜およびその界面の物理
~ 電子デバイス界面テクノロジー研究会の 26 年 ~

〇岡田 健治¹ (1.タワーパートナーズセミコンダクター)

キーワード：半導体デバイス、界面、絶縁膜

電子デバイス界面テクノロジー研究会は、SiO₂膜およびHigh-k絶縁膜の膜質・界面の物理、その電子デバイスへの影響を主たる研究対象とした「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会、「ゲートスタック」研究会を経て本年26 年目を迎えた。現在は強誘電HfO₂膜、Ge channel、パワーデバイス等多岐に亘るテーマについて議論が展開されている。本研究会の現在に至る技術動向について概観する。