[11p-S202-1~10] 3.5 レーザー装置・材料

[11p-S202-1] 12-fs Ybファイバーレーザー Intra-pulse DFGによるmW中赤外光の発生

〇中村 卓磨¹、Badarla Venkata Ramaiah¹、橋本 和樹¹、Schunemann Peter²、井手口 拓郎¹ (1.東大理、2.BAE Systems)

キーワード：中赤外光源

中赤外光における分子指紋領域(500-1800 cm^-1)は赤外吸収分光にとって最も重要であり、多数の光源が提案、開発されている。本研究は3.3 W、12 fsの超短パルスYbファイバーレーザーをOrientation-patterned Gallium Phosphide (OP-GaP)に入射する事でIntra-pulse difference frequency generationにより1mWを超える中赤外光(900-1200 cm^-1)を得た。