[12a-N101-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12a-N101-4] 電界印加型光導波路マッハツェンダ干渉計へ向けたGaN導波路型方向性結合器の作製

〇久田 雄太¹、亀井 拓哉¹、市川 修平¹、藤原 康文¹、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：光デバイス、窒化物半導体