[12a-N106-1~9] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[12a-N106-8] 光ヘテロダイン光熱変位法によるSi熱伝導率の非破壊非接触測定

〇原田 知季^1,2、安良田 裕基¹、森田 浩右¹、碇 哲雄¹、福山 敦彦¹ (1.宮崎大、2.学振特別研究員DC)

キーワード：熱伝導率、熱電変換、非破壊非接触測定

薄膜やナノ構造を用いた熱伝導率の低下による熱電材料の性能向上が報告されている。薄膜やナノ構造にも適用可能で測定による試料の特性変化がない非破壊非接触の熱伝導率測定法を開発する。本研究では、光吸収後の発熱によって生じる試料表面熱膨張をヘテロダイン干渉計により非接触で検出する光ヘテロダイン光熱変位 (LH-PD) 法を新規に構築し、熱伝導率を評価する。本報告では測定手法の確認のためSiとGaAsバルク試料で測定を行い、理論計算結果との比較により、熱伝導率を算出した。