[12a-N206-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-N206-6] ゾルゲルBaSnO₃薄膜FETの不安定性と抵抗変化スイッチング現象

〇(M1)前山 滉貴¹、野内 亮^1,2 (1.大阪府立大院工、2.JST　さきがけ)

キーワード：錫酸バリウム、ペロブスカイト、ゾルゲル法

本研究では、Ba(CH₃COO)₂とSn(CH₃COO)₄から生成したゾルゲル前駆体溶液を用いて、SiO₂/p⁺⁺-Si基板と熱酸化膜を有さない高ドープSi基板上にBaSnO₃ゾルゲル薄膜を作製し、その電気的特性について調査した。その結果、FETの出力特性においてドレイン電圧が20 V以上の領域で電流値の上昇が確認された。二端子素子における電気的測定を行ったところ、電極界面起因の抵抗スイッチング現象が確認されており、FET特性における不安定性はこれに起因するものと考えられる。