[12a-N206-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-N206-8] Single crystal growth of the homologues (InGaO₃)_n(ZnO)_m and its transport and thermal properties

〇Naoki Kase¹, Tadahito Inoue¹, Yuto Uruma¹, Yusuke Kawamura¹, Yuki Kobayashi¹, Nobuaki Miyakawa¹ (1.Tokyo Univ. of Sci.)

Keywords:Transparent conducting oxides, IGZO, Sinle crystal

我々は9気圧下におけるOptical Floating Zone (OFZ)法によって初めてInGaZnO₄ (IGZO-11)の大型単結晶の育成に成功した。本研究では、同様の手法を用いて育成した大型単結晶を用いて(InGaO₃)_n(ZnO)_m [n = 1, m = 1, 2, 3]の輸送特性および熱物性を明らかにすることを目的として各種物性測定(電気伝導率、ホール効果、ゼーベック効果など)を行った。