[12a-N206-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-N206-8] (InGaO₃)_n(ZnO)_mの大型単結晶を用いた輸送および熱特性

〇加瀬 直樹¹、井上 禎人¹、漆間 由都¹、河村 優介¹、小林 祐樹¹、宮川 宣明¹ (1.東理大理)

キーワード：透明導電性酸化物、IGZO、単結晶

我々は9気圧下におけるOptical Floating Zone (OFZ)法によって初めてInGaZnO₄ (IGZO-11)の大型単結晶の育成に成功した。本研究では、同様の手法を用いて育成した大型単結晶を用いて(InGaO₃)_n(ZnO)_m [n = 1, m = 1, 2, 3]の輸送特性および熱物性を明らかにすることを目的として各種物性測定(電気伝導率、ホール効果、ゼーベック効果など)を行った。