[12a-N301-1~11] 6.1 Ferroelectric thin films

[12a-N301-4] Effect of sputtering conditions on internal stress of Al_1-xSc_xN thin films

〇Kohei Miyaji¹, Takeshi Yoshimura¹, Hagiwara Takuto¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:AlScN, internal stress

近年、Al_1-xSc_xN(AlScN)薄膜は、圧電定数の増加や強誘電性の発現が報告され注目されている。これらの特性は、Sc置換によるc/a比の変化によって得られたものであり 、AlScN薄膜における格子歪と特性との関係を明らかにしていくことは重要である。またAlN薄膜ではスパッタ条件によって内部応力が変化することが知られており、AlScN薄膜においてはSc置換の効果とスパッタ条件の両方がc/a比に影響を及ぼすと考えられる。そこで本研究では、RF マグネトロンスパッタ法を用いて、プラズマ状態がAlScN 薄膜の内部応力におよぼす影響について調べた。