2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[12a-N301-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

2021年9月12日(日) 09:00 〜 12:00 N301 (口頭)

内田 寛(上智大)、田岡 紀之(名大)、川江 健(金沢大)

09:45 〜 10:00

[12a-N301-4] スパッタ条件がAl1-xScxN薄膜の内部応力に及ぼす影響

宮地 航平1、吉村 武1、萩原 拓永1、藤村 紀文1 (1.阪府大工)

キーワード:AlScN、内部応力

近年、Al1-xScxN(AlScN)薄膜は、圧電定数の増加や強誘電性の発現が報告され注目されている。これらの特性は、Sc置換によるc/a比の変化によって得られたものであり 、AlScN薄膜における格子歪と特性との関係を明らかにしていくことは重要である。またAlN薄膜ではスパッタ条件によって内部応力が変化することが知られており、AlScN薄膜においてはSc置換の効果とスパッタ条件の両方がc/a比に影響を及ぼすと考えられる。そこで本研究では、RF マグネトロンスパッタ法を用いて、プラズマ状態がAlScN 薄膜の内部応力におよぼす影響について調べた。