[12a-N304-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[12a-N304-9] Chemical composition change at ALD-HfO₂/PVD-WS₂ interface

〇tomomu yamazaki¹, ryo ono¹, shinya imai¹, takuya hamada¹, masaya hamada¹, iriya muneta¹, kuniyuki kakushima¹, hitoshi wakabayashi¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:Atomic layer deposition, TMDC, sputtering

二次元半導体の一種であるWS₂膜は原子レベルの膜厚ながらも、高移動度と優れた界面特性を持つことからナノシートトランジスタのチャネルへの応用が期待されている。WS₂膜を用いた高性能なトランジスタを実現するためには半導体-絶縁体界面特性を明らかにすることが重要であるが、その研究はまだ途上である。今回はスパッタリング法により成膜したWS₂膜の化学組成をXPSによって検証し、HfO₂膜堆積前後の変化を比較したので報告する。