[12a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12a-N305-1] KrFレーザードーピングによる SiC 極表面変化
―レーザードーピングメカニズムの研究 (その１)―

〇妹川 要¹、納富 良一¹、宇佐見 康継¹ (1.ギガフォトン（株）)

キーワード：レーザードーピング、炭化珪素、表面状態変化

SiCパワーデバイスの製造プロセスにおいて、結晶性回復や活性化のため高温処理が必要とされる課題がある。我々はレーザドーピングがその解決手段の一つとなると考えており、SiN薄膜を堆積したSiC基板にKrFエキシマレーザーを照射することで室温で窒素注入する手法を提案してきた。しかしながら表面状態の変化やメカニズムについて詳しく考察できていなかったため、今回表面のラマン分析を実施したので考察を交えて報告する。