[12a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12a-N305-10] 界面光顕微応答法によるSiC、GaN、a-Ga₂O₃ショットキー接触の均一性の評価

〇塩島 謙次¹、川角 優斗¹、堀切 文正²、福原 昇²、三島 友義³、四戸 孝⁴ (1.福井大院工、2.サイオクス、3.法政大、4.FLOSFIA)

キーワード：ショットキー接触、界面光顕微応答法、ワイドバンドギャップ半導体

3種類の代表的なワイドバンドギャップ半導体、SiC、GaN、a-Ga₂O₃上に形成したショットキー電極が面内でどれだけ均一であるかに着目して界面顕微光応答法により2次元評価を行った。
装置全体の安定性を評価した．光電流で0.2%以下、障壁高さで0.2 meV以下の安定性を確認した。
１つの電極面内の測定では各材料ともに10 meV以下の障壁高さの標準偏差を示した。