[12a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12a-N305-5] 金属/高濃度ドープSiCショットキー界面における電気伝導機構の解析

〇原 征大¹、田中 一^1,2、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.阪大院工)

キーワード：SiC、ショットキー障壁ダイオード、オーム性接触