[12a-N305-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [12a-N305-7] Selective introduction of color centers into 4H-SiC via ion implantation and annealing

〇Takuma Kobayashi^1,2, Maximilian Ruehl¹, Johannes Lehmeyer¹, Leonard Zimmermann¹, Michael Krieger¹, Heiko Weber¹ (1.FAU, 2.Osaka Univ.)

Keywords:SiC, color centers, ion implantation

半導体中の発光中心は量子演算・センシング等の量子技術への応用で期待されている。炭化珪素（SiC）は広いバンドギャップを有する上、デバイス作製技術が確立しており、発光中心のホストとして魅力的な材料である。本研究では、SiC を用いた量子デバイスのオンチップ集積化を目指し、イオン注入および熱処理で生成するSiC 中の発光中心を調査した。